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　　為貫徹落實(shí)黨中央、國務(wù)院關(guān)于加強(qiáng)基礎(chǔ)研究和提升原始創(chuàng)新能力的重要戰(zhàn)略部署，國家自然科學(xué)基金委員會（以下簡稱自然科學(xué)基金委）工程與材料科學(xué)部擬資助“集成電路關(guān)鍵材料前沿探索”原創(chuàng)探索計(jì)劃項(xiàng)目（以下簡稱原創(chuàng)項(xiàng)目）。集成電路材料是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，因此自主研發(fā)集成電路用關(guān)鍵材料尤為重要。本項(xiàng)目通過材料、化學(xué)、物理和信息等多學(xué)科的深度交叉融合，針對集成電路制造過程中涉及到的關(guān)鍵金屬材料、無機(jī)非金屬材料及有機(jī)高分子材料，探索材料制備與應(yīng)用的新原理、新方法與新技術(shù)，推動原始創(chuàng)新，為突破集成電路材料領(lǐng)域的“卡脖子”難題提供基礎(chǔ)支撐，服務(wù)國家重大戰(zhàn)略需求，引領(lǐng)國際科技前沿。
　　一、科學(xué)目標(biāo)
　　本項(xiàng)目面向集成電路用關(guān)鍵材料，具體科學(xué)目標(biāo)如下：（1）聚焦光刻膠、柔性集成電路載板等高分子材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、固化機(jī)制及復(fù)合材料界面微結(jié)構(gòu)演變與失效機(jī)理，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵材料的理論預(yù)測、精準(zhǔn)合成與技術(shù)突破；（2）針對集成電路尺寸微縮瓶頸與挑戰(zhàn)，發(fā)展低功耗、高集成度器件應(yīng)用所需的新型非硅CMOS溝道材料、晶體柵介質(zhì)材料、高效電光調(diào)制系數(shù)材料和三維堆疊鐵電存儲陣列材料；（3）針對集成電路極限制程封裝的微凸點(diǎn)高質(zhì)量制備和高密度互連需求，發(fā)展晶圓級微凸點(diǎn)互連材料，實(shí)現(xiàn)封裝電接觸材料的精準(zhǔn)構(gòu)筑。
　　二、資助方向
　�。ㄒ唬�極紫外高分子光刻膠。
　　針對極紫外光刻膠應(yīng)用目標(biāo)，建立序列可控精準(zhǔn)高分子的合成方法及原位分析手段，闡明光刻膠的精準(zhǔn)化學(xué)/聚集態(tài)結(jié)構(gòu)與靈敏度、分辨率、線邊緣粗糙度間的關(guān)聯(lián)，構(gòu)建非光酸放大型極紫外光刻膠材料。
　　（二）本征型層間互連封裝光刻膠。
　　發(fā)展耐高溫光刻膠，研究聚合物固化機(jī)制及固化條件與光刻膠性能之間的關(guān)系，揭示光刻圖形缺陷形成機(jī)制，發(fā)展缺陷控制及封裝光刻膠多功能化的新原理和新方法。
　　（三）集成電路用高分子復(fù)合材料界面微結(jié)構(gòu)演變與失效機(jī)理研究。
　　發(fā)展界面微結(jié)構(gòu)及其演變的表征新方法，研究材料表界面物理化學(xué)特性及其在不同熱、機(jī)械等環(huán)境下的演變機(jī)理，探索復(fù)合界面處分子鏈松弛行為與熱應(yīng)力耗散的機(jī)理及復(fù)合界面偶聯(lián)改性失效的化學(xué)機(jī)制，探索金屬離子等在界面遷移擴(kuò)散與聚集行為，構(gòu)建異質(zhì)復(fù)合界面多尺度失效分析模型。
　�。ㄋ模┤嵝约�成電路載板的材料設(shè)計(jì)與性能調(diào)控。
　　研究具有高撓曲、高尺寸穩(wěn)定柔性集成電路載板基材的合成與物性控制的新方法，探索柔性基板表界面性質(zhì)和微觀結(jié)構(gòu)的調(diào)控機(jī)制及界面增強(qiáng)的新策略，揭示柔性載板材料光敏性與光刻分辨率的構(gòu)效關(guān)系，發(fā)展柔性集成電路載板高精度導(dǎo)電線路的制造方法。
　�。ㄎ澹┟嫦蚍枪鐲MOS器件的新型溝道材料。
　　針對亞納米尺寸下傳統(tǒng)溝道材料性能衰退導(dǎo)致的集成電路功耗激增問題，發(fā)展突破尺寸微縮極限的高質(zhì)量、低缺陷二維半導(dǎo)體材料等新型溝道材料，設(shè)計(jì)、構(gòu)筑高質(zhì)量異質(zhì)界面，實(shí)現(xiàn)載流子的高效調(diào)控，推動新型溝道材料在非硅CMOS器件和邏輯電路的典型應(yīng)用。
　　（六）面向后摩爾時(shí)代低能耗器件的晶體柵介質(zhì)材料。
　　圍繞后摩爾時(shí)代傳統(tǒng)柵介質(zhì)材料柵控能力下降導(dǎo)致的能耗瓶頸難題，研發(fā)具有低缺陷密度的新一代晶體柵介質(zhì)材料，發(fā)展超越硅基場效應(yīng)晶體管的新原理和新材料，實(shí)現(xiàn)低功耗器件的制備。
　�。ㄆ撸┟嫦蚋呒�成度電光調(diào)制器的納米光子材料。
　　針對因光學(xué)衍射極限導(dǎo)致硅光芯片難以小型化的問題，設(shè)計(jì)新型光子材料與結(jié)構(gòu)，探索多物理場作用下光子材料納米光學(xué)模式的調(diào)控規(guī)律，實(shí)現(xiàn)光子材料中光傳播方向、相位和模場分布的精細(xì)操控，為下一代高集成度電光調(diào)制器提供新材料。
　�。ò耍┟嫦蚋呙芏热�維堆疊存儲陣列應(yīng)用的鐵電材料。
　　針對大數(shù)據(jù)時(shí)代高密度和海量存儲需求，發(fā)展高密度三維堆疊存儲陣列新型鐵電材料，闡明鐵電材料電荷注入/反注入的微觀動力學(xué)過程，揭示鐵電材料缺陷產(chǎn)生機(jī)制與調(diào)控機(jī)理，構(gòu)筑基于鐵電材料的高密度三維堆疊存儲陣列。
　�。ň牛┚�圓級Sn-Ag微凸點(diǎn)互連材料。
　　揭示添加劑對高、低電力線區(qū)域的抑制電沉積作用機(jī)制以及對Sn-Ag微凸點(diǎn)合金形核-結(jié)晶行為的影響規(guī)律，闡明芯片互連工藝下微凸點(diǎn)與常用Ni、Cu、ENIG等金屬基體的界面作用機(jī)理，建立直徑小于60微米、12英寸晶圓級Sn-Ag微凸點(diǎn)互連材料的電沉積制備方法。
　�。ㄊ�）極限制程封裝電接觸材料精準(zhǔn)構(gòu)筑及電子結(jié)構(gòu)調(diào)制。
　　針對后摩爾時(shí)代集成電路極限制程封裝的高密度互連需求，提出近零缺陷電接觸材料微結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)構(gòu)筑新策略，揭示微量元素?fù)诫s對主體元素電子結(jié)構(gòu)的調(diào)制作用，探索金屬元素與缺陷的相互作用機(jī)制，闡明稀合金體系在機(jī)械力和熱力作用下的織構(gòu)演化規(guī)律。
　　三、資助計(jì)劃
　　本原創(chuàng)項(xiàng)目資助期限為3年，申請書中研究期限應(yīng)填寫“2024年1月1日—2026年12月31日”。計(jì)劃資助8-10項(xiàng)，平均資助強(qiáng)度200萬元/項(xiàng)。
　　四、申請要求
　�。ㄒ唬┥暾堎Y格。
　　具有承擔(dān)基礎(chǔ)研究項(xiàng)目（課題）或其他基礎(chǔ)研究經(jīng)歷的科學(xué)技術(shù)人員均可提出申請。
　�。ǘ�）限項(xiàng)申請規(guī)定。
　　1.申請人同年只能申請1項(xiàng)原創(chuàng)項(xiàng)目（含預(yù)申請）。
　　2.原創(chuàng)項(xiàng)目從預(yù)申請開始直到自然科學(xué)基金委做出資助與否決定之前，不計(jì)入申請和承擔(dān)總數(shù)范圍，獲資助后計(jì)入申請和承擔(dān)總數(shù)范圍。
　　3.應(yīng)符合《2023年度國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目指南》中對申請項(xiàng)目數(shù)量的限制。
　　五、申請程序
　�。ㄒ唬╊A(yù)申請。
　　1.預(yù)申請?zhí)峤粫r(shí)間為2023年11月24日－11月26日16:00時(shí)，以國家自然科學(xué)基金網(wǎng)絡(luò)信息系統(tǒng)（以下簡稱信息系統(tǒng)）提交時(shí)間為準(zhǔn)，在提交時(shí)間之外提交的申請將不予受理。
　　2.請申請人登錄信息系統(tǒng)https://grants.nsfc.gov.cn撰寫預(yù)申請。沒有信息系統(tǒng)賬號的申請人請向依托單位基金管理聯(lián)系人申請開戶。在信息系統(tǒng)“申請與受理”菜單下，點(diǎn)擊“原創(chuàng)項(xiàng)目預(yù)申請”，進(jìn)入預(yù)申請?zhí)顚戫撁�，選擇“指南引導(dǎo)類”，附注說明選擇“集成電路關(guān)鍵材料前沿探索”，申請代碼1應(yīng)當(dāng)填寫工程與材料科學(xué)部相應(yīng)的申請代碼（“E”字母開頭），申請代碼2根據(jù)項(xiàng)目研究所涉及的領(lǐng)域自行選擇相應(yīng)學(xué)科申請代碼。以上選擇不準(zhǔn)確或未選擇的項(xiàng)目申請不予資助。
　　3.預(yù)申請主要闡述所提學(xué)術(shù)思想的原創(chuàng)性、科學(xué)性和潛在影響力，字?jǐn)?shù)控制在2000字以內(nèi)。另外，申請人還須在“與指南所列研究方向的吻合性”中注明申請針對的本指南所列資助方向名稱。申請人按照信息系統(tǒng)中的有關(guān)提示填寫預(yù)申請相關(guān)內(nèi)容后直接提交至自然科學(xué)基金委。
　　4.自然科學(xué)基金委受理預(yù)申請并組織審查。審查結(jié)果將以電子郵件形式反饋至申請人。
　�。ǘ�）正式申請。
　　1.預(yù)申請審查通過的申請人，應(yīng)按照“專項(xiàng)項(xiàng)目-原創(chuàng)探索計(jì)劃項(xiàng)目正式申請書撰寫提綱”要求填寫正式申請書。正式申請的核心研究內(nèi)容應(yīng)與預(yù)申請一致，并要求在正式申請書正文的第一句明確寫明申請項(xiàng)目所對應(yīng)的本指南所列資助方向。
　　2.除特別說明外，每個(gè)原創(chuàng)項(xiàng)目的合作研究單位數(shù)合計(jì)不超過2個(gè)；主要參與者必須是項(xiàng)目的實(shí)際貢獻(xiàn)者。
　　3.申請人應(yīng)根據(jù)《國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目資金管理辦法》《項(xiàng)目資金管理有關(guān)問題的補(bǔ)充通知》有關(guān)規(guī)定和《國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目資金預(yù)算表編制說明》的具體要求，按照“目標(biāo)相關(guān)性、政策相符性、經(jīng)濟(jì)合理性”的基本原則，認(rèn)真編制《國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目資金預(yù)算表》。
　　4.申請人完成申請書撰寫后，在線提交電子申請書及附件材料。
　　5.依托單位應(yīng)對本單位申請人所提交申請材料的真實(shí)性和完整性進(jìn)行審核。原創(chuàng)項(xiàng)目采用無紙化申請方式，依托單位只需在線確認(rèn)并及時(shí)提交電子申請書及附件材料，并在截止時(shí)間后24小時(shí)內(nèi)在線提交項(xiàng)目申請清單，無需報(bào)送紙質(zhì)申請書。項(xiàng)目獲批準(zhǔn)后，將申請書的紙質(zhì)簽字蓋章頁裝訂在《資助項(xiàng)目計(jì)劃書》最后，與之一并提交。簽字蓋章的信息應(yīng)與信息系統(tǒng)中的電子申請書保持一致。
　　　六、注意事項(xiàng)
　�。ㄒ唬┵Y助項(xiàng)目信息公布。
　　自然科學(xué)基金委將在官方網(wǎng)站公布資助原創(chuàng)項(xiàng)目基本信息。
　�。ǘ�）項(xiàng)目實(shí)施保障。
　　原創(chuàng)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人應(yīng)將主要精力投入原創(chuàng)項(xiàng)目的研究中；依托單位應(yīng)加強(qiáng)對原創(chuàng)項(xiàng)目實(shí)施的監(jiān)督、管理和服務(wù)，減輕項(xiàng)目負(fù)責(zé)人不必要的負(fù)擔(dān)，為項(xiàng)目研究提供必要的制度和條件保障。
　�。ㄈ�）其他。
　　原創(chuàng)項(xiàng)目申請與資助不設(shè)復(fù)審環(huán)節(jié)。
　　自然科學(xué)基金委將把相關(guān)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人項(xiàng)目執(zhí)行情況和評審專家的評審情況計(jì)入信譽(yù)檔案。
　　請有意向申報(bào)的教師11月20日之前與科技處聯(lián)系。
　　聯(lián)系人：杜靜
　　聯(lián)系電話：86323626